珠海LED灯电源生产今日行情“本信息长期有效”

.●反馈光耦供电用12V供电，且取样点在后级滤波电感前面更好。因为滤波电感前的波动更快的反映前端PWM的调制状态，就算TL431的开启程度是一定的，因为12V的波动可以让光耦上反馈到的电流有微小的差异，在反馈环路一定的情况下，这个光耦供电取样点的选择更有利于动态响应和调整率的平衡控制。。●12V绕组应该放在更接近于初级绕组的地方。这样更有效的确保12V的电压变化比例更小，因为我们反馈采样的是5V端，所以难控制的是12V的绕组。综合这些将可以更好的控制这两个绕组的平衡度。虽然不能做到的好，但是相对的来说是有一定参考价值的。

LEB前沿消隐时间设短了，比尖峰脉冲的时间还短，那就没有效果了还是会误判；如果设长了，真正的过流来了起不到保护的作用。 Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay，否则输出短路时，Vds会比满载时还高，超过MOSFET耐压就可能造成炸机。 经验值1nS的Delay约等于1K对100PF，也等于100R对102PF 16.画小板时，在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔。理由：方便组装 如图： 实物如图： 实际组装如图： 这样做可以使小板与PCB大板之间紧密贴合，不会有浮高现象 17.电路设计，肖特基的散热片可以接到输出正极线路，这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒 18.电路调试，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因为1N4007速度慢300uS，压降也大1.3V，老化过程中温度很高，容易失效造成炸机 19.电路调试，输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量，避勉量产有损坏现象。


如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离，依据公式500V对应0.85mm，DS电压在700V以下是0.9mm，考虑到污染和潮湿，一般取1.2mm 54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠，需要考虑T脚增加安全距离。 之前碰到过炸机现象，增加安全距离后解决了，因为磁珠容易沾上残留物 55.发一个验证VCC的土方法，把产品放低温环境（冰箱）几分钟，测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。 小公司设备没那么全，有兴趣的可以做个对比，看看VCC差异有多大关于VCC圈数的设计需要考虑很多因素 56.在变压器底部PCB加通风孔，有利于散热，小板也一样，要考虑风路。